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03.06.2002

Star 250

Strahlungsresistenter CMOS-Bildsensor

Star 250

Star 250

Der Bildsensor Star 250 von FillFactory verfügt über 512x512 Bildpunkte mit einem Bildpunktabstand von 25mm. Er zeichnet sich durch extrem hohe Strahlungsfestigkeit aus. So bewirkte die Bestrahlung aus einer Gamma-Quelle (Co60) mit einer Gesamtdosis von mehr als 10Mrad lediglich einen Anstieg der Dunkelstromdichte um den Faktor 14: von 100pA/cm2 auf etwa 1,4nA/cm2. Nach Beendigung der Bestrahlung sank diese wieder beträchtlich ab. Zusätzliche Bestrahlung mit Protonen einer Energie von 11,7MeV bis zu einer Dosis von 3x1010 resultierte in einem Anstieg der Dunkelstromdichte für nur etwa 1% der Bildpunkte auf Werte größer als 1nA/cm2.

Für eine verbesserte Modulationstransferfunktion (MTF) und verringerte Ungleichmäßigkeit der Photoempfindlichkeit (PRNU) bestehen die Bildpunkte aus vier Dioden. Weitere Leistungsmerkmale sind: Doppelabtastung auf dem Chip zur Unterdrückung fester Muster (FPN), 25 Vollbilder pro Sekunde, 10Bit-Analog/Digital-Wandler auf dem Chip, Fensterabtastung durch voreinstellbaren Startpunkt, elektronischer Verschluss und keramisches JLCC-84-Gehäuse. Ferner ist der Sensor monochrom.

Unternehmensinformation

ON Semiconductor BVBA CMOS Image Sensor Products (CISP)

Schalienhoevedreef 20B
BE 2800 MECHELEN
Tel.: +32 15 446-333
Fax: +32 15 446-344

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